Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미
2017.12.17 01:31
안녕하세요.
반도체 assembly 회사에서 근무하고 있습니다.
ICP / CCP 에서 coupled (결합) 란 의미가 plasma 관점에서 정확히 무엇인지 알수 있나요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [88] | 2818 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 14029 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 49960 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 61902 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 80609 |
| 500 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 773 |
| 499 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 774 |
| 498 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 774 |
| 497 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 777 |
| 496 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 780 |
| » | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 794 |
| 494 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 806 |
| 493 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1]  | 807 |
| 492 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 818 |
| 491 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 833 |
| 490 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 844 |
| 489 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 844 |
| 488 | 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] | 845 |
| 487 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 846 |
| 486 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 853 |
| 485 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 859 |
| 484 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 860 |
| 483 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 864 |
| 482 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 867 |
| 481 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 885 |
플라즈마 소스에서 coupled의 의미는 plasma 생성에 필요한 전자 가열을 위한 에너지 전달을 의미합니다. 즉 에너지 전달 메카니즘으로, inductively coupled 란 Faraday's induction law로 부터 시간 변화 자기력에 의한 기전력이 전가 가속을 시킴을 의미하며, capacitively coupled 의 의미는 diode 형태의 전극 사이에 형성되는 전기장으로 부터 전자 가속이 이뤄짐을 의미합니다. 이들 coupling 영역은 ICP에서는 skin depth 내에서, CCP에서는 sheath 경계에서 발생합니다. 아울러 인가 전력은 플라즈마 공간 내에서 Joule 가열로도 사용이 되므로, power coupling을 고려하면 전자 가열+줄 가열의 크기를 종합하여, 인가 전력의 플라즈마로의 전력 전달을 의미하는 표현이라 할 수 있고, 그 효율에 대해서 보다 관심을 크게 갖게 됩니다. 본 게시판에서 CCP/ICP/ plasma breakdown 등의 내용을 살펴 보시기 바랍니다.