Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching]
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] | 78473 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21040 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57867 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69400 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93945 |
801 | RF에 대하여... | 32272 |
800 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 32192 |
799 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31746 |
798 | DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] | 31718 |
797 | [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] | 31291 |
796 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
![]() | 30238 |
795 | 플라즈마 밀도 [Langmuir 탐침과 플라즈마의 밀도] | 30214 |
794 | PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] | 29881 |
793 | matching box에 관한 질문 [ICP Source 설계] [1] | 29778 |
792 | 플라즈마의 정의 | 29565 |
791 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29416 |
» | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] | 29171 |
789 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 [Ozone과 Plasma] | 29027 |
788 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [Mean free path] [1] | 28899 |
787 | Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시] [1] | 28724 |
786 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 28616 |
785 | 반도체 관련 질문입니다. | 28601 |
784 | esc란? | 28167 |
783 | sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] | 28061 |
782 | 탐침법 | 28007 |
먼저 성균대학교 염근영교수님의 역저, "플라즈마 식각기술"을 추천드립니다.