self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78038 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20848 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93634 |
679 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19751 |
678 | PM을 한번 하시죠 | 19747 |
677 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19737 |
676 | Noise 문제, 탐침에 의한 식각 플라즈마의.. | 19712 |
675 | DC SPT 문의 | 19697 |
674 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19680 |
673 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19661 |
672 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19636 |
» | self bias [1] | 19559 |
670 | 플라즈마를 이용한 박막처리 | 19538 |
669 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19486 |
668 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19482 |
667 | QMA에 관하여 [1] | 19453 |
666 | AC 플라즈마에서의 전압/전류 형상... | 19432 |
665 | [Q]플라즈마 생성위한 자유전자라는게 뭐죠? | 19401 |
664 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19378 |
663 | CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 | 19369 |
662 | MFC | 19352 |
661 | 플라즈마를 손으로 만질 수는 없나요?? | 19283 |
660 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19267 |
이 현상을 다음과 같이 이해하면 어렵지 않습니다. A/B 양면을 갖는 capacitor에 한쪽 (A)에는 rf전압을 인가되고 다른 한쪽(B)에는 가벼운 전자와 무거운 이온들로 구성된 플라즈마가 있습나다. A에 인가된 전
압에 따라서 B면에도 위상차가 나지만 전압이 유도될 것 입니다. B면에 유도되는 전압에 따라서 표면과 접촉하던 플라즈마 내의 전자와 이온들이 거동을 시작하면 표면으로 흘러들어 올 것 입니다. 한 주기 내에서 볼때 양의 전위가 B에 유도되면 전자들이 음의 전위가 유도되면 이온들이 표면으로 입사 될 것입니다. 이때 전자의 유동도가 이온의 유동에 비해서 매우커서, 즉 질량차에 의해서 보다 많은수의 전자들이 B면에 축적되게 될 것이며 주기가 반복되면서 표면의 전위를 계속해서 음으로 낮추는 결과를 초래합니다. 하면 언제까지 표면이 음전위를 갖게 될 것인가 하는 질문이 남습니다. 앞의 과정이 계속되면 표면 음전위가 낮아짐으로써 무거운 이온들이 더욱 가속을 받아 속도가 빠르게 되고 반대로 전자들은 속도가 점차 늦어 지게 되면서, 속도와 밀도를 곱한 값 flux, 즉 표면으로 흘러들어오는 전자 전류의 크기와 이온전류의 크기가 같아지는 조건을 만족하게 됩니다. (이는 capacitor임으로 직접 전류가 흐를 수 없기때문에 표면에서의 총 전류값이 0이 되어야 하는 조건을 만족합니다.) 이때 형성되는 B표면의 DC 전위를 Self Bias라 합니다. 따라서 insulator/혹은 semiconductor의 표면에 전압을 인가하기 위해서느 이 방법이 가장 유효하여 반도체 제조에는 늘 사용되는 방법입니다.