안녕하세요. 최근에 원자층식각(Atomic Layer Etching) 또는 ALD시 remote plasma란 용어가 자주 나오는데요, 일반적으로 이야기 하는 Plasma 와 어떤 차이가 있는 건가요? 생성방법? 이온 밀도? 등등 차이점에 대해 설명좀 부탁드립니다. 항상 감사드립니다.
안녕하세요. 최근에 원자층식각(Atomic Layer Etching) 또는 ALD시 remote plasma란 용어가 자주 나오는데요, 일반적으로 이야기 하는 Plasma 와 어떤 차이가 있는 건가요? 생성방법? 이온 밀도? 등등 차이점에 대해 설명좀 부탁드립니다. 항상 감사드립니다.
Remote 플라즈마는 Plasma 발생부 (source 혹은 원)이 처리 시편에서 멀리 떨어져 있는 경우로, 대부분 격리된 용기에서 플라즈마를 발생시켜 유도부(경우에 따라서는 짧게 구성된 경우도 있음)를 통해 공정 (반응) 용기로 확산된 플라즈마를 사용하게 만든 장치, 혹은 그러한 장치에서 발생된 플라즈마 장치 및 플라즈마 자체를 의미합니다. 특히 Remote plasma는 실제 두 영역에서의 플라즈마를 총칭하게 되어 혼선을 줄 수 도 있는데, source plasma와 process plasma로 구분하기도 하지만, 대부분 process plasma를 의미하게 됩니다. 당연히 소스의 특성이 전이되는 만큼 process plasma를 따로 설명하기는 어려운 경우가 많이 있으니, 필히 source plasma 기준으로 process plasma 를 해석한다면 그 활용의 폭을 넓힐 수 있겠습니다.
왜 remote plasma를 사용하고자 하는가? 일반적으로 공정 플라즈마에서 생성되는 공정관련 인자들은 전자, 이온, 중성종 및 UV 등으로 나눌 수 있겠습니다. 플라즈마 생성원에서 멀리 떨어진 remote plasma를 사용하려는 목적은 대부분 플라즈마의 이온이나 전자의 특성을 덜 쓰려는 공정에서 사용되어, 상대적으로 라디컬 등을 적극적으로 활용하는 공정입니다. 따라서 여기서 이온/전자의 역할은 중성종의 에너지 전달원으로써 역할로 국한시키려는 장치 구성이 요구되기도 합니다. 따라서 remote plasma에서 대부분은 중성종 (혹은 라디컬)의 생성량과 그 에너지가 표면 반응에 적합할 정도로 높지 않아야 한다는 점입니다. 특히 시편 위에 원자 층을 쌓으려 한다면 매우 조심스럽게 이들 중성종의 에너지를 제어하여야 하고 그 위에 이온등의 충돌이 있다면 원자가 되튕길 수 있어 가능한 이온 및 전자의 거동이 제어된 소스 설계가 필요하겠습니다. 하지만 고밀도를 만들기가 어렵듯이 아주 저밀도의 플라즈마를 안정적으로 유지하기 또한 어렵고, 이온을 제어하기 또한 쉽지 않아 장비 설계에 많은 know-how가 필요할 것으로 예상할 수 있습니다. 참고가 되었기를 기대합니다.