Others CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유
2004.06.19 16:48
질문 ::
일반적으로 CCP의 Vp(Plasma potential)는 수백에서 1000V가량 되는걸로 알고 있습니다. ICP의 Vp는 전반적으로 낮은 값을 갖는데요 저희 장비는 보통 20-30V정도 밖에 되지 않습니다. ICP의 장점중 하나가 바로 낮은 Vp값을 갖는다는것인데요. 이처럼 CCP의 Vp가 ICP에 비해 높은 이유가 뭔지 궁금합니다. 참고로 전 CCP의 간단한 구조와 원리밖에 모르고 있습니다. 저희 장비가 TCP인 관계로...
그럼 염치 불구하고 연이은 질문에 좋은 답변 기대하겠습니다.
항상 몸 건강하시길 빌겠습니다.
===========================================================================
ICP/CCP에서의 플라즈마 발생에 관한 설명 자료가 복원될 것 입니다. 이를 참고하시면 될 것입니다.
그때까지 다음 사항을 잘 고려해 보기 바랍니다. CCP의 전극은 플라즈마와 직접 만나고 있습니다.
혹은 두 전극 사이에 형성되는 전기장이 플라즈마를 만들고 있습니다. ICP의 경우는 안테나가
플라즈마와 직접 만나지 않고, 유도 전기장으로 플라즈마가 형성됩니다. 또한 플라즈마가 만들어지기
위해서는 breakdown voltage를 줄 수 있는 전기장이 어떤 방법으로든 형성되어야 할 것입니다. 이로
인해서 CCP는 ICP에 비해서 높은 공간 전위를 갖게 됩니다. 하지만 언급한 정도의 수백에서 수천 Volt의
플라즈마 전위를 갖지는 않습니다. ICP보다 제대로 만들어진 CCP 플라즈마의 경우는 ICP에 비해서 약간
높을 뿐입니다.
위 사항을 잘 참고하여 현상을 이해해 보기 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75027 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18871 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56344 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66872 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88354 |
» | CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 | 19897 |
209 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 19747 |
208 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19591 |
207 | cross section 질문 [1] | 19484 |
206 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19310 |
205 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19299 |
204 | self bias [1] | 19220 |
203 | [Q]플라즈마 생성위한 자유전자라는게 뭐죠? | 19146 |
202 | 질문이 몇가지 있읍니다. [1] | 19140 |
201 | 플라즈마에 관하여... | 18915 |
200 | 등온플라즈마와 비등온플라즈마 | 18724 |
199 | 주변의 플라즈마에 대하여 | 18624 |
198 | 플라즈마을 막는 옷의 소재는? | 18511 |
197 | 형광등에서 일어나는 물리적인 현상 | 18488 |
196 | 핵융합 발전에서는 폐기물이 않나오는 .... | 18483 |
195 | 플라즈마를 손으로 만질 수는 없나요?? | 18446 |
194 | 질문 있습니다. [1] | 18345 |
193 | PDP 에 대해서.. | 18281 |
192 | 실생활에서 사용되는 플라즈마 | 18266 |