안녕하세요, 플라즈마에 대해서 공부 중인 학생입니다.

다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각 장치에서 바이어스 전극에 저주파 전력을 인가함으로써, 이온 입사에너지를 증대된다고 배웠는데요. 어떠한 이유로 저주파 전력을 인가시, 이온 입사 에너지가 증대되는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

그리고, 다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각장치에서 전극에 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 밀도에 정상파 효과가 발생한다고 해당 랩의 논문에서 읽었는데요. 어떠한 이유로 정상파 효과가 발생하고, 고주파 전력을 100MHz --> 60MHz로 변경시 정상파 효과가 줄어드는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

답변을 주시면, 공부하는데 많은 도움이 될 것같습니다.  답변을 부탁드립니다.(- -)(_ _)(- -)

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76886
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20282
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57200
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92712
117 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1775
116 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1710
» 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1703
114 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1694
113 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1652
112 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1568
111 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1538
110 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1525
109 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1466
108 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1455
107 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1446
106 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1437
105 플라즈마 관련 교육 [1] 1417
104 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1393
103 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1369
102 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1367
101 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1347
100 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1308
99 플라즈마 기초입니다 [1] 1293
98 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1262

Boards


XE Login