Plasma Source 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성
2023.03.07 09:48
기초적인 질문이지만 답변 해주시면 정말 감사하겠습니다.
1. 챔버 시즈닝을 SiO2로 했을때, 플라즈마를 인가하면 플라즈마의 영향으로 챔버시즈닝이 각 O2-와 Si4+로 분해가 일어날수있나요?
일어난다면 흔한일일까요 ??
2. 1번과 같은 관점에서 플라즈마 gas를 각각 N2 , H2 로 인가한다면, 제가 생각하기에는 수소원자가 질량이 낮으니 O를 떼어 낼 만한 힘이 없어서 N2 는 1과같은 일이 발생할수 있을거 같고, H2는 힘들것 같은데 어떤것이 맞는지 궁금합니다
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75421 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19154 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56478 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67552 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89354 |
| 145 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 94474 |
| 144 | Plasma source type | 78822 |
| 143 | Silent Discharge | 64512 |
| 142 | 대기압 플라즈마 | 40367 |
| 141 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 31567 |
| 140 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 | 28741 |
| 139 | DBD란 | 27402 |
| 138 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24873 |
| 137 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24436 |
| 136 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24090 |
| 135 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 23578 |
| 134 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23181 |
| 133 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23157 |
| 132 | No. of antenna coil turns for ICP | 22966 |
| 131 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 22866 |
| 130 | CCP/ICP , E/H mode | 22583 |
| 129 | 플라즈마의 발생과 ICP | 21939 |
| 128 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21585 |
| 127 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21477 |
| 126 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21444 |
플라즈마의 생성 현상에 대해서 공부해 보시기 바랍니다. 먼저 전자와 원자 및 분자와의 충돌과정으로, 이온화 및 해리 충돌 과정에 대해서 공부하시면 좋을 것 같고, 이 반응이 연속되어 플라즈마가 발생하고 형성되어 유지되게 됩니다. 따라서 플라즈마 방전, 파센 법치, 충돌이온화반응 등의 주제로 검색해 보시기 바랍니다. 게시판에 보시면 잘 설명이 되어 있고, 위의 질문에 대한 답을 찾을 수 있으실 것 같습니다.