CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해
2021.06.21 15:35
안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.
항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.
이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.
말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.
그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,
Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?
현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.
혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.
감사합니다!!!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73079 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17643 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55521 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65736 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86107 |
| 61 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 1481 |
| 60 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1478 |
| 59 | RF generator 관련 문의드립니다 [3] | 1447 |
| 58 | 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] | 1444 |
| 57 | RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] | 1388 |
| 56 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1348 |
| 55 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1337 |
| 54 | 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] | 1316 |
| 53 |
dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!!
[1]  | 1268 |
| 52 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1248 |
| 51 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1219 |
| 50 | ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] | 1115 |
| » | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1050 |
| 48 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1043 |
| 47 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 999 |
| 46 | plasma 형성 관계 [1] | 942 |
| 45 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 914 |
| 44 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 909 |
| 43 | 공정플라즈마 [1] | 895 |
| 42 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 893 |
일전의 설명을 다시 한 번더 살펴보시기를 추천합니다. 전극에 RF bias가 걸리는 쪽에 시편이 놓이면 DC bias 값 만큼의 이온 가속이 일어나며, 이 경우를 Reactive ion etch라 부릅니다. 따라서 power 전극이 아닌 전극에 시편이 놓이면 가속 이온에 의한 공정 영향이 매우 적게 됩니다. 전원 연결 위치와의 관계에 집중해서 문제를 살펴 보시면 좋습니다. 이온에 에너지가 인가되는 현상이 지배하는 곳, 즉 DC bias 형성이 판단의 관건입니다.