CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해

2021.06.21 15:35

피했습니다 조회 수:798

안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.

항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.

 

말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.

 

그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,

Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?

현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.

 

혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.

 

감사합니다!!!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [110] 4873
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16212
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51247
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63741
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83500
54 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1214
53 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 1186
52 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1184
51 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1168
50 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 1146
49 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 1127
48 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1049
47 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 1026
46 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1019
45 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 969
44 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 915
43 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 814
42 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 806
41 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 806
» PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 798
39 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 790
38 공정플라즈마 [1] 777
37 Plasma Generator 관련해서요. [1] 751
36 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 747
35 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 723

Boards


XE Login