Others Arcing

2009.08.05 12:49

김석희 조회 수:28671 추천:195

안녕하세요 저는 반도체 제조업체에 얼마전에 신입으로 들어와  Dry Etching 설비를 당담하고 있습니다.
아직 모르는것이 많아 어디에 물어봐야할지 몰라 이렇게 글 남깄니다.

다름이 아니라 최근 설비에 Arcing 으로인한 제품 Damage 및 Chamber 내부에 아노다이징 처리된 Part 가 절연막이 파괴되고있는데 Acring 이 생기는 원인은 정확하게 모겠네요...
1.Chamber 내부 Cathode 와 Wall 사이에 저항치가 나오면 안돼는 것으로 알고 있는데 3메가옴 또는 다른 Chamber 는 200메가옴 정도 나오는것도 있고 Arcing 이 발생되지 않은 Chamber 에서도 나오고 있어 정확히 Cathode 와 Wall 사이에 저항이 얼마가 나오면 정상인가요??

2. Chamber 내부 Process Kit 에 DC-Pulg 라고 석연으로 만든 Part 가 Acr 방지용으로 넣었다는데 정확한 용도와 원리 좀 부탁합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76947
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20312
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57234
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68783
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92772
123 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] 47921
122 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 41276
121 Ground에 대하여 39487
120 Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) 35964
119 matching box에 관한 질문 [1] 29692
» Arcing [1] 28671
117 esc란? 28096
116 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27653
115 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27220
114 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26491
113 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26222
112 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25588
111 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24895
110 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24781
109 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24766
108 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24626
107 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23346
106 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22952
105 Peak RF Voltage의 의미 22622
104 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22583

Boards


XE Login