ESC 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의..
2013.06.13 15:05
안녕하세요.
저는 정전척 제조 회사에 근무하고 있는 서보경입니다.
정전척 관련하여 궁금한 것이 있어 이렇게 문의를 드리게 되었습니다.
자사 5.5세대 정전척 제품이 공정 진행 후 Gate 앞쪽 부위의 외각 He-hole 부위에 burning 현상이 많이 나타납니다.
이러한 현상은 glass를 chucking 하기 전에 이미 plasma 가 유입이 되어 이로 인하여 burning 현상이 나타나는 것으로 예상을
하고 있는데요. 그렇다면 이 현상에 대해 메카니즘이 어떻게 되는 것인지 궁금합니다.
도움을 주시면 정말 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 48775 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 52795 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] | 60677 |
17 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 24301 |
16 | esc란? | 24261 |
15 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22500 |
14 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 21429 |
13 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19453 |
12 | 정전척 isolation 문의 입니다. [1] | 6323 |
» | 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] | 5956 |
10 | Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. | 3441 |
9 | ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 | 3218 |
8 | ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] | 3174 |
7 |
ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다.
![]() | 3148 |
6 | ESC Cooling gas 관련 [1] | 1757 |
5 | Si Wafer Broken [2] | 1302 |
4 | CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] | 1262 |
3 | dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] | 957 |
2 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 952 |
1 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1] ![]() | 279 |
추측하건대, gate 부분의 공간으로 plasma가 새어 들어갈 충분한 이유가 있어 보이고 이 경우라면 helium leak이 있는 hole 근방에 helium 플라즈마가 새어 들어온 플라즈마와 같이 생길 수 있습니다. 또한 bias를 쓰면 그 현상은 더 커질 수 있겠습니다. 특별히 chuch에 쌓인 하전 효과로 국부 방전이 일어났다고 보이진 않는데, 보다 자세한 이해는 도면을 보면 쉽게 이해할 수 있겠습니다.