|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[336]
| 108172 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 26473 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 63628 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 75297 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 108871 |
|
194 |
플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential]
| 44011 |
|
193 |
ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process]
[2] | 35438 |
|
192 |
PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정]
[1] | 33105 |
|
191 |
RF에 대하여...
| 32660 |
|
190 |
DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포]
[5] | 32168 |
|
189 |
RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다.
| 31996 |
|
188 |
[Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching]
[1] | 31741 |
|
187 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
 | 30678 |
|
186 |
OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching]
[1] | 30640 |
|
185 |
PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage]
| 30224 |
|
184 |
H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure]
[1] | 25260 |
|
183 |
스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다..
| 25226 |
|
182 |
Arcing [아크의 종류와 발생 원인]
| 24679 |
|
181 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 24493 |
|
180 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate]
[2] | 24290 |
|
179 |
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스]
[1] | 23346 |
|
178 |
Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술]
[1] | 22862 |
|
177 |
질문있습니다 교수님 [Deposition]
[1] | 22768 |
|
176 |
플라즈마 코팅 관하여 [PECVD와 화학물 코팅]
| 22275 |
|
175 |
펄스바이어스 스퍼터링 답변
| 22144 |
