안녕하세요 HF PLASMA에 대해 공부하고 있는 직장인입니다.

 

다름이 아니라 대부분의 논문에서는 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER 증가에 따라 DEPOSITION RATE올라가는데,

 

실제 HF PLASMA 실험을 해보면, POWF 증가에 따라 DEPOSITION RATE가 내려가는 경향성을 보였습니다. (굴절율은 올라가는 경향성)

 

혹시 원리에 대해 설명해주실 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103381
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24721
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61543
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73525
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105970
14 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 540
13 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 500
12 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 487
11 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 483
10 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 472
9 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 463
» HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 462
7 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 437
6 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 436
5 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 416
4 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 409
3 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 377
2 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 351
1 플라즈마 식각 커스핑 식각량 226

Boards


XE Login