Others N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정]
2016.05.05 09:33
안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어입니다.
N2, Ar Plasma 를 사용하여 미세 Pattern Pad 표면 세정을 하려고 합니다.
세정물 오염원은 C, Si 등을 포함한 성분인데요.
N2 와 Ar 중 어떤게 더 효과적일지 궁금합니다. ( 사용 원소에 따른 플라즈마 처리 세기의 차이가 있을거 같은데.. )
자료를 찾다보니 아래와 같이 기술된 것도 있던데 맞나요??
- 사용 기체로 산소 및 질소를 사용하였을 경우 아르곤을 사용한 플라즈마 처리 시 보다 에칭 효과 우수
- 산소 사용 시 질소 사용보다 표면 에칭 효과 우수
※ 표면 에칭: 아르곤 < 질소 < 산소
감사합니다.
댓글 1
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