Etch 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]

2024.07.16 16:22

주정아 조회 수:484

안녕하세요. 식각 공정 관련 업계에 종사하고 있는 주정아라고합니다.

 

SiON, Si3N4과 같이 Si,N 원소를 포함한 가스와 CHF3과 같은 H를 포함한 가스들이 반응했을 때,

 

특히 저온으로 갈수록 식각률이 증가하는 내용을 접했습니다.

 

그 원인에 대해 조사하고 싶은데, 검색해봐도 잘 나오지않아 조언을 구합니다.

 

고견주시면 감사하겠습니다.

 

좋은 하루 되세요.

 

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