안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.

 

icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.

 

또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.

 

답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 82605
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21958
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58743
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70371
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96271
93 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2414
92 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2295
91 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2240
90 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2221
89 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2203
88 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2195
87 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2047
86 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 2009
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1989
84 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1973
83 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1878
82 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1864
81 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1796
80 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1660
79 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1578
78 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1577
77 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1562
76 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1556
75 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1507
74 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1451

Boards


XE Login