Others ICP 후 변색 질문
2018.01.23 19:11
안녕하십니까.
현재 반도체 회사에서 근무하고 있습니다.
ICP 공정 중 일어나는 Sapphire wafer (Al2O3) 변색 관련 질문 드립니다.
BCl3 gas를 이용한 ICP 진행 중 간간히 wafer가 옅은 노란색을 띄는 황변이 발생하고 있고.
황변 발생 wafer는 재열처리로 황변을 제거 하고 있습니다. (가끔 황변이 제거 안되는 경우도 있습니다.)
이와 관련.
1. Oxygen의 숫자 부족
2. Al3 + vacancy 과도의 이유로 추정하고 있습니다.
Ingot 자체의 물성(?)이 원인이라고 파악하고 있는데.
혹시, ICP 진행 중 어떠한 화학반응에 의해 황변이 발생할 가능성이 있는지요.
어떠한 내용이라도 좋습니다.
위 황변 내용과 관련하여 다른 의견이나 지식을 얻고 싶습니다.
ICP 진행 중 wafer 황변 발생의 원인과 그에 따른 해결 방안 혹은 점검 내용이 있다면 알려주시길 부탁드립니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92292 |
| 42 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 737 |
| » | ICP 후 변색 질문 | 726 |
| 40 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 726 |
| 39 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 717 |
| 38 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 696 |
| 37 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 694 |
| 36 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 669 |
| 35 | Polymer Temp Etch [1] | 663 |
| 34 |
Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다.
[1]  | 636 |
| 33 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 617 |
| 32 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 609 |
| 31 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 604 |
| 30 |
RF Sputtering Target Issue
[2] | 598 |
| 29 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1] | 547 |
| 28 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 543 |
| 27 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 521 |
| 26 | PECVD Uniformity [1] | 509 |
| 25 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 501 |
| 24 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 472 |
| 23 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 471 |