Etch Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
2022.09.20 20:49
안녕하세요. PECVD 공정 엔지니어로서 RPSC의 Cleaning 거동을 이해하고자 질문드립니다.
우선 CCP 형태 Chamber에서 Chamber 내 NF3가 공급되어 SiNx가 식각되는 Cleaning 공정을 가정하겠습니다.
Chamber Throttle Valve Position이 고정되고 Pump는 100% 성능으로 작동할 때, NF3를 공급하면 Pressure 곡선은 아래와 같습니다.
Chamber 내에선 SiNx와 NF3가 반응하여 SiF4가 생성됩니다.
Throttle Valve, Pump 상태는 동일하므로 배기되는 Output Volume Flowrate는 항상 같다고 가정했습니다.
Chamber 내 압력이 변동하되 Chamber Volume은 일정하므로, Chamber 내 Density는 Pressure에 비례할 것입니다. 즉, Fluid Density는 상기 곡선 상황에서 변동하는 Parameter입니다.
이때, 궁금한 것은 Residence Time 추이가 어떻게 변할지 입니다.
Residence Time은 Chamnber 내 Fluid가 평균적으로 얼마나 오래 머무르고 가는지 의미합니다.
추론① 배기되는 Output Volume Flowrate, Chamber Volume이 일정하므로 Residence Time은 항상 동일하다.
추론② Input Volume Flowrate가 증가하더라도, 추론①대로 Residence Time은 항상 일정하다. → 이 경우, Input Volume Flowrate가 증가했음에도 Residence Time이 동일한 건 직관적으로 이상하지만, Density(혹은 Pressure)가 증가하므로 적절한 추론일 것이다.
추론③ Chamber 내 Fluid Density와 Throttle Valve를 통해 배기되는 Fluid Density는 동일하다.
상시 세 가지 추론이 적절한지 궁금합니다. 물론 정밀한 수준으로 정확한지를 따지기보단, 큰 개념으로 공정을 바라볼 때 위의 추론처럼 이해하는 것이 적절한지가 궁금합니다.
항상 질문에 친절하게 답해주셔서 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76714 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20170 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68695 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
42 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 736 |
41 | ICP 후 변색 질문 | 725 |
40 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 724 |
39 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 709 |
38 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 695 |
37 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 694 |
36 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 669 |
35 | Polymer Temp Etch [1] | 659 |
34 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 636 |
33 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 613 |
32 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 609 |
31 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 604 |
30 | RF Sputtering Target Issue [2] | 595 |
» | Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] | 544 |
28 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 541 |
27 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 509 |
26 | PECVD Uniformity [1] | 502 |
25 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 485 |
24 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 472 |
23 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 470 |
TVP (throttle valve Position) 변화도 관찰해 보세요. 일반 진공 이론에서 conductance 개념도 고려해 보시면 residence time , 체류 시간에 대한 개념적 접근이 가능할 것 같습니다.