번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [46] 859
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 719
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49320
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 58464
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 72454
40 DC Bias Vs Self bias [5] 29810
39 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23505
38 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23007
37 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22062
36 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 21753
35 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20069
34 ICP 식각에 대하여... 16412
33 ICP와 CCP의 차이 [3] 9878
32 에칭후 particle에서 발생하는 현상 8837
31 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 7285
30 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4404
29 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 4300
28 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3114
27 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3039
26 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 2840
25 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2459
24 PR wafer seasoning [1] 2270
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 1839
22 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1730
21 Plasma etcher particle 원인 [1] 1616

Boards


XE Login