Etch RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도

2004.07.02 11:15

권호철 조회 수:19892 추천:247

================================<질문>=======================================

저는 생산 LINE에서 DRY ETCHER를 관리하는 설비 ENG'R
  입니다
    NORMAL  BOTTOM(전극):50  TOP(SHOWER HEAD):50  
  WALL:50을 사용 하고 있는데 생산 LINE이다 보니 생산량이 많아
  BYPRODUCT(POLYMER)가 TOP및 WALL 부분에 상당히 많이
  DEPO가 되어 문제가 되고 있읍니다
  경험치로는 온도를 올리면(75도 검토) DEPO 되는 POLYMER
  양을 줄일수 있을것 같은데 온도UP에 따른 플라즈마 밀도가 얼마나
  변할지 몰라 움직이지 못하고 있읍니다  
  POWER가 걸리는 BOTTOM은 현50도를 유지하고 TOP과 BOTTOM
  의 온도를 UP시킬때 플라즈마 밀도에 많은 영향을 미치는지
  알려 주시고,폴리머는 왜 온도가 낮은 부위에 집중적으로 DEPO
  되는지 이론적으로 알고 계시면 답변 부탁 드립니다.
  
================================<답변1>=======================================
polymer는 P.R ,Etching products,Etching gas등에 의하여
발생됩니다.그런데 그러한 polymer가 온도에 따른 영향을 나타내는것은 우리가 수증기의 물방울이 맺하는 원리와 동일하게 생각하면됩니다.
겨울철에 유리창에 물방울이 맺히는 경우를 종종 보게될겁니다.
이와 마찬가지로 벽부나하부전극의 온도가 낮으면 Polymer들이
Pumping되지 못하고 흡착하게 됩니다.그래서 Polymer가 흡착이
덜되게 하기위해서는 온도를 올리는것입니다.그런데 온도를 무한정 올릴수는 없고,Etching 진행시에 발생되는 substrate의 heat-up에 의하여
P.R Buring 현상이 발생 할 수있으니 이러한 문제가 발생하지 않을정도면 될것으로 보입니다.그리고 교수님 말씀처럼 Plasma에 주는 영향은
거의 없을 것으로 보입니다.

================================<답변2>=======================================
참 어려운 질문입니다. 질문자의 성함을 모르니 더욱 힘듧니다.

반응기 벽의 온도와 반응기 내의 플라즈마와의 상관 관계를 물었습니다. 원칙적으로는 반응기 벽의 온도와 플라즈마와는 별개입니다. 하지만
종종 반응기 벽의 온도에 따라서 플라즈마 가 변하는 것과 같은
현상이 발생하곤 합니다. 제가 생각하기로는 이는 반응기 벽의 온도가
플라즈마를 변화시킬 만큼 올라가기가 실제 상황에서 힘들다는 생각입니다.
오히려 질문과 같이 depo등에는 많은 영향을 미칠 수 있으며 반응기 벽에
depo될 물질들이 반응기 공간내에 보다 많이 존재함으로 플라즈마의
특성을 간접적으로 바꾸지 않나 생각됩니다. 만을 반응기 벽의 온도가
매우 높아 열전자 등이 발생한다면 이는 플라즈마 특성에 영향을 주게
될 것 입니다. 그렇지 않다면 반응기 표면의 화학적인 활성에너지를
높이는 역할을 함으로써 반응기 벽에서의 래디컬의 화학 반응이 오히려
더 큰 영향을 받게 될 것입니다. 원론적으로 이는 플라즈마와는 무관하다고 생각해야 합니다.

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