Etch Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술]

2009.08.07 17:14

김기권 조회 수:22812 추천:272

저는 LCD Dry Etcher 내 하부에 장착되는  ESC(Plasma ceramic Coating Type) 만드는 회사에 다니고 있습니다.
전공이 재료공학 인지라 Etcher 에 대한 설비, 공정진행 여러가지 모자란 부분이 많습니다. 이 부분을 독학 공부를 하고 싶은데 도움되는 교재를 추전해 주셨으면 좋겠습니다.  

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103269
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24708
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61513
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73516
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105934
76 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 32070
75 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24434
74 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24204
73 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 23265
» Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술] [1] 22812
71 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20567
70 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법] [1] 18717
69 ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma] 17108
68 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13100
67 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9857
66 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8304
65 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7032
64 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6995
63 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6285
62 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5947
61 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4947
60 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4920
59 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4385
58 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4273
57 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3851
쓰기
태그

Boards

XE Login