SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.

NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,

그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.

학자님들의 고견 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77286
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20486
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57404
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68931
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92985
70 DC Bias Vs Self bias [5] 31620
69 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24218
68 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23799
67 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22822
66 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22567
65 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20448
64 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17655
63 ICP 식각에 대하여... 16941
62 ICP와 CCP의 차이 [3] 12598
61 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9562
60 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6859
59 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6328
» SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6022
57 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5519
56 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5486
55 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4348
54 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3993
53 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3621
52 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3081
51 Plasma etcher particle 원인 [1] 3073

Boards


XE Login