아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.

poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.

바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데

효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75420
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67550
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89340
64 DC Bias Vs Self bias [5] 31216
63 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23992
62 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23549
61 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22560
60 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22467
59 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20343
58 ICP 식각에 대하여... 16828
57 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 16767
56 ICP와 CCP의 차이 [3] 12035
55 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9360
54 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5837
53 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 5256
52 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5232
51 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5093
50 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4608
49 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3979
48 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3857
47 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3294
46 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2746
45 Plasma etcher particle 원인 [1] 2637

Boards


XE Login