Etch Plasma 식각 test 관련 문의

2021.12.13 16:57

벅바 조회 수:3968

안녕하세요.

 

플라즈마 식각 중량변화 테스트를 O2가스와 NF3,AR(3:1) 비중으로 60분동안 200W전력 조건으로 

 

제품은 불소고무 O-RING 입니다.

 

할 수 있는곳이 있을까요?? 

 

도움 부탁드리겠습니다..

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76781
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68721
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92424
67 DC Bias Vs Self bias [5] 31548
66 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24176
65 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23762
64 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22769
63 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22544
62 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20428
61 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17473
60 ICP 식각에 대하여... 16919
59 ICP와 CCP의 차이 [3] 12498
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9518
57 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6607
56 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6259
55 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5870
54 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5464
53 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5293
52 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4281
» Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3968
50 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3538
49 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2985
48 Plasma etcher particle 원인 [1] 2981

Boards


XE Login