Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.

2021.10.22 11:47

바나나우유a 조회 수:1518

안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78047
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20850
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57738
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93636
34 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1227
33 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1211
32 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1205
31 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1189
30 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1181
29 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1163
28 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1140
27 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1084
26 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 940
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 875
24 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 766
23 Polymer Temp Etch [1] 758
22 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 711
21 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 687
20 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 633
19 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 629
18 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 548
17 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 462
16 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 445
15 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 408
쓰기
태그

Boards

XE Login