Deposition [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]
2019.01.23 13:10
안녕하세요.
CVD공정쪽에서 일하고 있는 엔지니어 반형진입니다.
a-Si 증착 시 Vdc값이 증착된 막 내의 수소량에 어떻게
영향을 미치는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다.
댓글 4
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김곤호
2019.01.24 12:30
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시비디
2019.01.24 12:55
감사합니다 큰 도움이 됐습니다.
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시비디
2019.01.24 13:05
한 가지만 더 여쭙겠습니다.
시편의 온도가 올라가서 수소가 깊게 침투할 수 있다는 부분에서
온도가 상승하는 것과 어떤 상관있는지 조금 더 설명해주시면 안 될까요 ^^;;
그리고 혹시 수소가 깊게 침투한다는 걸
Vdc 값이 높아질수록 증착막 내의 수소량이 많아진다고 이해해도 될까요??
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강성국
2019.01.24 13:50
안녕하세요. 삼성디스플레이 연구소 소속 강성국이라고 합니다.
본 답변 내용 중 조금 이해가 되지않는 부분이 있어, 댓글로 여쭙습니다.
" ...Vdc는 타킷 표면의 전위를 의미하며, 이는 쉬스 전위=플라즈마 전위-표면 전위, 이니 대부분 공정되어 있는 플라즈마전위를 기준으로 Vdc 가 커지면 (음의 값입니다) 쉬스 전위가 커지고..."
이 부분 중 Vdc가 커진다는 의미는 -값으로 더 내려간다는 의미인가요, 아니면 말 그대로 +방향으로 더 커진다는 것 인가요?
이전 답변 내용이 많은 도움이 되었습니다.
번거로우시겠지만 상기 내용에도 도움을 주시면, 매우 감사하겠습니다^^
아마도 수소의 침투는 2가지 경로를 가질 것 같습니다. 한가지는 확산에 의한 것이고, 다른 하나는 쉬스에서 가속된 수소 이온의 침투일 것 입니다. 전자는 중성의 수소의 거동이고 후자는 수소 이온이며, Vdc는 타킷 표면의 전위를 의미하며, 이는 쉬스 전위=플라즈마 전위-표면 전위, 이니 대부분 공정되어 있는 플라즈마전위를 기준으로 Vdc 가 커지면 (음의 값입니다) 쉬스 전위가 커지고, 이는 이온이 보다 큰 에너지를 갖고 침투하게 되거나. 표면에서 대기중인 수소 입자들에게 에너지를 더 전달할 수 있습니다. 물론 타킷(시편)의 온도도 올라가서, 보다 많은 수소가 깊게 침투할 수 있겠습니다. 게시판에서 쉬스에 대한 설명을 참고해 보시면 이해에 도움이 될 것 같습니다.