Ashing H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure]
2010.04.10 19:15
안녕하세여... 자료를 찾던중 도저히 모르겠어서 답변 부탁드립니다. 현재 H2 플라즈마로 표면 처리를 하고 있습니다. 그러나, 폴리머 계통이 잘 Ashing되지 않아, O2를 쓰려고 합니다. 몇몇 업체에서는 미량의 산소를 수소와 함께 쓰는 것으로 알고 있습니다. 그러나 산소와 수소가 섞이면 반응하는 것으로 알고 있어서 위험할 것 같아서 질문드립니다. 수소 플라즈마에 산소를 섞으면 얼마의 비율로 섞어야 하는지 궁금합니다. 정확한 수치가 없다면, 제가 찾아봐야할 관련자료라도 알려 주시면 고맙겠습니다. 감사합니다. 답변 꼭 부탁드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] | 101882 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 24461 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 61121 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 73154 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 105317 |
829 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 148600 |
828 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134590 |
827 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 97539 |
826 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80335 |
825 | Silent Discharge | 64644 |
824 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55870 |
823 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48854 |
822 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43924 |
821 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41623 |
820 | 대기압 플라즈마 | 40928 |
819 | Ground에 대하여 | 40048 |
818 | RF frequency와 RF power 구분 | 39461 |
817 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36719 |
816 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36374 |
815 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35281 |
814 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 33008 |