DC glow discharge 방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압]
2014.02.10 14:52
안녕하세요 김곤호 교수님.
저는 코로나 방전 공부를 하고 있는 대학원생입니다.
다름이 아니라 재질에 대해 질문 드리고 싶은데요,
저는 재질을 스테인리스, 황동, 텅스텐 3종류를 바꿔가면서 방전 실험을 했습니다.
제가 비슷한 글을 찾아본 결과 음극판의 2차 전자방출계수가 높은것 일수록 플라즈마 공간 유지에 좋다고 봤습니다.
그렇다면 재질이 바뀌면 전류-전압 그래프가 서로 다르게 나와야 되는게 아닌가 싶습니다.
하지만 재질을 바꿨을 경우 전류-전압은 그대로인데 풍속만 차이가 있었습니다. 여기서 풍속은 이온풍입니다.
즉 2차 전자방출계수 말고도 다른 요소에 의해서 전류-전압 그래프는 서로 같지만 풍속이 다르게 나오는 것 같습니다.
혹시 제가 모르는 다른 요소가 있거나 제가 잘못생각한 점이 있다면 설명해주시면 감사하겠습니다.
그리고 혹시 괜찮으시다면 양극판에서는 어떤 물성치가 플라즈마 공간에 영향을 주는지 추가적으로 알고 싶습니다.
댓글 1
-
김곤호
2014.03.04 13:32
미안합니다만, 제 이해가 부족해서 답변을 드리기가 곤란합니다. 이온풍이라고 하였는데 어떤 장치로 무슨 신호를 읽었는지를 알았으면 합니다. DC 방전에서 음극면에서의 방출되는 전자는 전극의 전위에 따른 가속에너지를 모두 받게 됨으로 진행하면서 공간의 이와화 (산사태 반응 혹은 alpa 반응)이 커집니다. 따라서 표면에서의 이차 전자 방출이 늘어남은 공간의 플라즈마 밀도를 높여 주며 따라서 이차전자가 방출되기 위해서 입사되는 이온의 수가 자연적으로 증가함으로써 방전 유지에 필요한 에너지가 적어도 방전개시가 유지될 수 있습니다. 여기서 방전개시 전압을 우리는 Breakdown voltage Vb 라 하고 이는 당연히 줄어들 수 밖에 없습니다. 하지만 방전 개시 전압과 방전시 유지되는 공간의 밀도는 조금 다를 수 있습니다. 방전 개시가 잘 되어도 전극에서 떨어진 공간의 밀도가 반드시 높지 않을 수 있을 텐데, 이는 운전 압력 및 방전 공간이 어떻게 정의되어 있는가에 따라 크게 달라 질 수가 있습니다. 여기서 공간에서의 유지는 공간내의 생성 반응과 손실 반응의 균형으로 정의되기 때문이니 이에는 여러가지 인자가 포함될 수 있겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] | 78473 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21040 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57867 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69400 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93945 |
817 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146267 |
816 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134494 |
815 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96618 |
814 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79808 |
813 | Silent Discharge | 64583 |
812 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55254 |
811 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48180 |
810 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43773 |
809 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41396 |
808 | 대기압 플라즈마 | 40754 |
807 | Ground에 대하여 | 39666 |
806 | RF frequency와 RF power 구분 | 39185 |
805 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36432 |
804 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36120 |
803 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35053 |
802 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32717 |