Process 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경]
2020.08.20 13:11
안녕하세요
접착력 증가를 위한 플라즈마 처리를 하고 있습니다.
문제는 불소계필러가 들어간 이미드 필름을 에폭시에 붙이려하는데 잘되지 않아서
표면처리 후 접착력을 증가시켜 보려고합니다.
현재 Ar+H2 로 하고있고 접착력이 증가하긴 하지만 탁월한효과는 못보고있습니다.
혼합가스를 바꾸어보라는 말도있고 소스를 바꿔보라는 말도있던데
혼합가스 종류나 다른 방법이있을까요 ?
궁금합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] | 102630 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 24656 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 61356 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 73440 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 105744 |
| 829 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 148754 |
| 828 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134607 |
| 827 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 97688 |
| 826 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80413 |
| 825 | Silent Discharge | 64649 |
| 824 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55957 |
| 823 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48915 |
| 822 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43939 |
| 821 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
 | 41666 |
| 820 | 대기압 플라즈마 | 40940 |
| 819 | Ground에 대하여 | 40072 |
| 818 | RF frequency와 RF power 구분 | 39507 |
| 817 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36737 |
| 816 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36416 |
| 815 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35305 |
| 814 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 33020 |
경험이 없어 원론적인 답변을 드립니다.
플라즈마 분위기를 이용하는 세정 방법은 플라즈마 생성 시 만들어지는 UV, 이온(물리적 에너지), 라디컬(화학반응) 을 복합적으로 이용할 수 있다는 장점을 이용합니다. 플라즈마 발생은 해리/여기 반응을 동반하므로, 플라즈마 상태에서는 앞의 반응 원천인자가 제공되고 있다고 할 수 있습니다. 여기에 가스를 혼합하는 경우는 화학적 반응물을 추가로 생성하기 위함일 수 있겠고, 이온의 에너지를 높이기 위해서는 시료를 DC 혹은 RF - self bias를 이용하기도 합니다. 아마도 소스를 바꾼다는 의미가 이들 조합의 차이를 유발하는 플라즈마 가열 방법의 차이를 의미합니다. 따라서 일반적인 접근 방법은 현재 플라즈마에서 산소 등의 세정 능력이 큰 가스, 라디컬 생성 가스를 이용하는 방법이 되겠고, 아르곤가스를 통합하면 방전이 보다 수월하고 화학적 성질의 변화가 적어 이 조합으로 시작하시면 될 것 같습니다.