Etch [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술]
2023.05.29 16:04
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.
결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.
원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?
또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)
마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [326] | 93431 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 23685 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 60378 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 72231 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 102485 |
828 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 148364 |
827 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134571 |
826 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 97360 |
825 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80251 |
824 | Silent Discharge | 64634 |
823 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55742 |
822 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48739 |
821 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43898 |
820 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41584 |
819 | 대기압 플라즈마 | 40913 |
818 | Ground에 대하여 | 39997 |
817 | RF frequency와 RF power 구분 | 39396 |
816 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36699 |
815 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36324 |
814 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35246 |
813 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32972 |
지난 내 답변으로 충분하지 않은 가 봅니다.
저서를 추천합니다. 성균관대학교 염근영 교수님 저 "플라즈마 식각기술 "과 D.M. Manos and D.L.Flamm 저 "Plasma Etching - Introduction" 에서 기본적인 정보를 얻으실 수 있을 것입니다. 저 역시 이 책들로 부터 지식을 쌓고 있습니다.