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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71810
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 100844
470 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질] [1] 4064
469 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성] [1] 4045
468 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4038
467 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4030
466 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 4026
465 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3996
464 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 3948
463 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 3899
462 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 3869
461 ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어] [1] 3863
460 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3778
459 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3757
458 방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압] [1] 3728
457 코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해] [1] 3625
456 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3609
455 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance] [3] 3604
454 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3578
453 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3562
452 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3532
451 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3496

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