ICP Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여
2018.12.21 07:56
안녕하세요, dusty 플라즈마를 활용해서 나노소재를 만드는 연구를 하는 한 학생입니다.
플라즈마 electron density 를 증가하고자 CCP 에서 ICP 로 바꿔서 실험을 진행하고 있는데요,
Ar gas 만 흘럿을때는 매우 아름다운 ICP 효과를 얻을 수 있는데,
O2 gas 를 넣는 순간 ICP 효과가 사라집니다.
튜브 사이즈는 직경 2인치이고, power 는 200 W 정도 인가하였는데
매칭박스의 매칭이 잘 되지는 않습니다.
주로 CCP 만 사용하다가 ICP 를 사용하게 되어 매칭박스에 관해 지식이 짧은데,
혹시 ICP 를 사용할때는 이 모드에 맞게 매칭박스를 바꾸어야 하는지요?
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92291 |
| 329 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1795 |
| 328 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1795 |
| 327 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1758 |
| 326 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1751 |
| 325 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1738 |
| 324 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1731 |
| 323 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1703 |
| 322 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1689 |
| 321 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1686 |
| 320 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1677 |
| 319 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1670 |
| 318 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1661 |
| » | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1661 |
| 316 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1646 |
| 315 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1609 |
| 314 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1609 |
| 313 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1602 |
| 312 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1599 |
| 311 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1562 |
| 310 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1533 |
ICP는 antenna를 통해 RF power가 전달되고, CCP는 마주보고 있는 electrode를 통해서 전달되지요. 전기적으로 보면 antenna는 inductor로 가정이 될 수 있고, 평판형 전극은 capacitor로 가정할 수가 있습니다. 따라서 matcher는 inductor의 load impedance 혹은 capacitor의 load impedance 차이가 됩니다. 두 임피던스의 특성은 RF에 대해서 반비례하는 성질을 갖고 있으니, matcher가 정합하는 기능이 차이가 생길 수 밖에 없겠지요. 대부분 matcher의 회로를 변경해서 사용하며, 상세한 내용은 Lieberman의 principles of plasma discharges and material processing 의 내용을 참고하시면 되겠습니다. 일부 정합기에 대한 설명은 본 계시판에도 수록이 되어 있으니 참고하세요.