안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102942
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61442
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73484
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105848
772 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24928
771 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24878
770 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24661
769 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24503
768 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24429
767 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24404
766 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24249
765 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24205
» N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24198
763 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24189
762 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23625
761 CCP/ICP , E/H mode 23596
760 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23474
759 DC glow discharge 23419
758 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23409
757 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical] [1] 23384
756 고온플라즈마와 저온플라즈마 23378
755 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) [ICP와 CCP의 heating] 23337
754 No. of antenna coil turns for ICP [안테나 turn 수와 플라즈마 발생 효율] 23334

Boards


XE Login