안녕하세요, 전자공학과 3학년 학부생입니다.

최근 DC&RF glow discharge, Sheath, self bias 등에 대해 공부했는데, 대부분의 예시가 두개의 평행한 전극을 가진 CCP type으로 국한되어 있어, ICP 에 적용하여 생각하는 데 조금 헷갈리는 부분이 있어 질문 드립니다.

1. 찾아본 논문에 따르면 RF bias power를 인가할 수 있는 ICP-RIE system에서도 self bias 효과가 나타나는데, 접지로 연결된 반응기 자체가 또 다른 전극의 역할을 수행하는 것인가요? 

2. 또한 CCP에서는 Self bias로 인해 극대화된 Sheath와, Sheath의 oscillation으로 인해 전자가 가속되고 플라즈마가 형성 및 유지되는 메커니즘으로 알고있는데, ICP-RIE의 Self bias 효과는 단지 이온 에너지 조절 측면에서 의미를 가지는 것이 맞을까요? 

3. ICP에서 반응기가 접지로 연결된 경우, 전위가 0으로 고정되어  챔버 벽면의 Sheath에서는 oscillation이 발생하지 않는 것이 맞는지도 궁금합니다.

감사합니다.