안녕하십니까, 교수님. 플라즈마에 관심이 많은 전자과 학부생입니다.

ICP에서의 skin depth에 대해 알아보고 있는데, 궁금한 점이 있어 질문 드리고 싶습니다.

skin depth는 전자기파가 챔버 내로 침투할 수 있는 길이로, 플라즈마 밀도가 높아질수록 해당 길이는 짧아진다고 알고 있습니다.

고밀도 플라즈마에서는 quartz window 근방에 형성된다고 알고 있는데, 그렇다면 icp는 주로 해당 부근에서 전자가 가속된다고 생각해도 될까요?(CCP가 Cathode fall 부근에서 주로 가속되는 것과 비슷하게).

비슷한 방면으로, icp에서 E-mode->H mode로 전환되며 플라즈마 밀도가 커지면서 skin depth 또한 줄어들 것이니, 플라즈마 형성 초기에는 전자가 흡수하는 에너지가 커지다가, 이후 점차 작아질 것이라고 생각하는데, 이러한 태생적인 특징이 icp 플라즈마 밀도 증가의 한계에 영향을 끼친다고 볼 수 있을까요?

감사합니다.