Sheath plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다.
2019.10.10 13:10
안녕하세요 교수님, 석사과정을 진행중인 학생입니다.
RIE에 대하여 공부하다 해결되지 않는 사항이 있어 질문드리고자 합니다.
ion theath thickness와 MFP와의 관계에 따라 ion directionality가 달라지고, ARDE가 발생하게 된다는 것 까진 학습하였습니다.(차일드-랭뮤어의 식)
1. Ion의 mass에 따라 sheath thickness가 변하는데, sheath thickness가 ion 가속, MFP, Vdc(self bias)에 끼치는 영향이 있는지 여쭙고자 합니다.
(Ion mass --> sheath thickness변화 ==> ion 가속영향? / MFP 영향? / Vdc 영향?..아니면 그 자체로는 다른 parameter에 영향이 없는지..)
2. RIE에서 wafer(electrode)의 open area의 경우, ion flux와 electron flux가 같다고 학습하였습니다.
이때 gas를 바꾸었을 때 ion의 mass가 바뀌었을 때,(ex, F --> Br) ion flux가 동일한지, 그렇다면 동일 flux이므로 wafer incident ion energy는 mass가 증가한 만큼 증가하게 되는지, electron의 energy가 ion의 mass나 이온화E에 영향이 있는지 여쭙고자 합니다. (속도가 동일하므로, mass증가에 따라 ion의 kinetic E 증가하는지...)
조금 두서없이 썼지만, 공부하는 중 해결이 잘 되지않아 교수님께 질문드리고자 합니다.
감사합니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76734 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68701 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
173 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13056 |
172 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12758 |
171 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12356 |
170 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11448 |
169 | DC bias (Self bias) [3] | 11262 |
168 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10379 |
167 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9520 |
166 | 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] | 9230 |
165 | 안녕하세요 교수님. [1] | 9029 |
164 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8980 |
163 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8919 |
162 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8721 |
161 | Lecture를 들을 수 없나요? [1] | 8579 |
160 | 핵융합에 대하여 | 8564 |
159 | 플라즈마 발생 억제 문의 [1] | 8122 |
158 | MFP에 대해서.. [1] | 7824 |
157 | 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] | 6540 |
156 | 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] | 6465 |
155 | O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] | 6438 |
154 | 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] | 6418 |