안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.

ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요? 

추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.

감사합니다.