Etch 플라즈마 샘플 위치 헷갈림
2022.06.07 20:57
안녕하세요.
현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.
다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.
오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다.
제가 궁금한 점은,
1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와
2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가
두 경우에 다른지가 궁금합니다.
타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?
참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76776 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68721 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92388 |
182 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43700 |
181 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34958 |
180 | PEALD관련 질문 [1] | 32619 |
179 | RF에 대하여... | 32018 |
178 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31670 |
177 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31545 |
176 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30015 |
175 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29739 |
174 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29266 |
173 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28732 |
172 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24878 |
171 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24654 |
170 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24174 |
169 | Arcing | 23818 |
168 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23762 |
167 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22769 |
166 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22543 |
165 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22131 |
164 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22092 |
163 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21945 |