Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2329

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76756
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20218
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57170
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68709
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92325
490 MFP에 대해서.. [1] 7826
489 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7704
488 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7652
487 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7621
486 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7232
485 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7091
484 저온 플라즈마에 관해서 [1] 6648
483 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6591
482 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
481 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540
480 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6493
479 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6475
478 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6465
477 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6438
476 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6418
475 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6414
474 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6410
473 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6365
472 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6275
471 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6252

Boards


XE Login