Etch etching에 관한 질문입니다.
2018.08.14 14:59
안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.
가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.
ethcant gas인 ch4는 고정시키고
Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.
질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?
질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76848 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20255 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68745 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92605 |
| 48 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2879 |
| 47 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2783 |
| 46 | PR wafer seasoning [1] | 2704 |
| 45 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2650 |
| 44 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2473 |
| 43 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2344 |
| 42 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2338 |
| 41 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2281 |
| » | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2269 |
| 39 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2066 |
| 38 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2058 |
| 37 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2003 |
| 36 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1969 |
| 35 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1806 |
| 34 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1767 |
| 33 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
 | 1419 |
| 32 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1383 |
| 31 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1364 |
| 30 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1248 |
| 29 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1189 |