Etch SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
2017.11.10 16:45
SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.
NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,
그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.
학자님들의 고견 부탁 드립니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76882 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20277 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57200 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68755 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92711 |
| 339 | N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] | 1822 |
| 338 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1810 |
| 337 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1774 |
| 336 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1773 |
| 335 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1761 |
| 334 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1752 |
| 333 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1708 |
| 332 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1708 |
| 331 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1702 |
| 330 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1693 |
| 329 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1678 |
| 328 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1674 |
| 327 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1674 |
| 326 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1670 |
| 325 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1648 |
| 324 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1627 |
| 323 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1625 |
| 322 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1609 |
| 321 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1568 |
| 320 | plasma 형성 관계 [1] | 1550 |