Sputtering gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다
2023.11.13 17:15
안녕하세요 스퍼터링 공부중인 학생입니다.
실험으로 스퍼터김운용 중 기타 변수들을 동일하게 하고 Ar20 sccm고정 02 를 2,4,6 조절하며 두께 및 저항값을 측정하고 있습니다.
o2양이 증가함에 따라 deposition rate가 감소하여 동일시간 증착시 더 증착되고 저항값도 커지는걸로 알고 있습니다만 제가 알고 있는 것이 맞을까요?
또한 4point prboe 측정시 2sccm 은 면저항이 5.6 옴정도로 측정되고 4sccm은 평균 400옴정도로 측정되는데 정상인지 여쭤보고 싶습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76855 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
| 57 | PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] | 340 |
| 56 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 327 |
| 55 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 323 |
| 54 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 321 |
| 53 | E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] | 321 |
| 52 |
RF sputter 증착 문제 질문드립니다.
[1]  | 317 |
| 51 | Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] | 313 |
| 50 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 294 |
| 49 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 276 |
| 48 | RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] | 268 |
| » | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 266 |
| 46 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 259 |
| 45 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 255 |
| 44 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 252 |
| 43 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 252 |
| 42 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 251 |
| 41 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 235 |
| 40 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] | 225 |
| 39 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 217 |
| 38 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 213 |