안녕하세요, 반도체 회사에 근무하는 직장인입니다. 

여쭐 것이 있어 글을 남겨 봅니다.

산업현장에서 쓰는 플라즈마 챔버간의 특성 차이 문제는 극복해야할 문제인데요, 

제가 지금 경험하고 있는것은, N2 gas 전처리의 특성이 달라서 챔버간 소자 결과 차이가 난다는 것입니다. 

여기서 질문이 있습니다.

1. CVD의 RPSC step(셀프 클리닝)에서 시즈닝 공정 조건 즉 시즈닝 레시피가 Sio2 증착 recipe (Sih4+N20) 인지? 혹은 SiNx(Sih4+nh3)인지에 따라 후속에서 진행될 N2 플라즈마의 전자 온도, 전자 밀고, 이에 따른 N2 해리율 변동을 야기 할 수 있을지요?? 

2. 야기 한다면 시즈닝을 SiO2로 하다가 Sinx 로 할 경우, 전자 밀도 온도 N2 해리율이 증가하는 방향일지? 감소하는 방향일지요?

이것이 시즈닝 박막의 유전율과 연관이 있을지?? 궁금합니다.

답변주시면 큰 도움이 될 것 같습니다.