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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
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68 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24189
67 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23778
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61 ICP와 CCP의 차이 [3] 12536
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59 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6694
58 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6279
57 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5925
56 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5478
55 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5377
54 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4319
53 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3974
52 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3552
51 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3014
50 Plasma etcher particle 원인 [1] 3010

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