안녕하십니까?

반도체 엔지니어로 근무하고 있습니다.

궁금한것이 있어 질문을 드립니다.

ICP와 CCP에서 동일 파워, 주파수등 플라즈마로 인가되는 전기적 특성과 압력이 동일하다고 가정한다면,

Breakendown vlotage의 크가의 차이가 궁금합니다.

제가 생각하기에는 동일한 공정가스인 아르곤 상황이라면, 결론적으로 ICP의 Breakendown voltage가 더 낮을것으로 생각됩니다.

그 이유는 ICP가 CCP에 비해서 전자와 중성입자간의 충돌 횟수가 더 많이 때문에 더 적은 에너지로 플라즈마를 형성할 수 있다고 생각하기 때문입니다. (물론 초기 전압 즉 파워가 ICP와 CCP모두 아르곤을 이온화 시키기에 임계 에너지가 충분하다고 가정)

추가적으로 기초적인 질문이지만, 제가 학부시절 회로이론을 공부할때 히스테리시스곡선을 배운기억이 있습니다.

E-H Mode의 변경을 파악하는것으로 판단됩니다. 이 곡선이 왜 중요한지와 간단한 개념의 설명 부탁드립니다.

감사합니다.