Langmuir Probe Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [전자 소실 및 플라즈마 전위]
2019.04.03 18:09
안녕하십니까
서울과학기술대학교에서 external DC voltage biasing을 이용한 여러 어플리케이션에 대해서 연구하고 있는 학생입니다.
먼저 플라즈마는 RF plasma이며 바이어싱을 걸어주기 위해 파워서플라이와 저항을 이용하여 회로를 구성하였고 바이어싱이 걸리는 기판은 일반적인 탐침이 아님 Planar한 Steel substrate입니다.
기판에 바이어싱이 걸리는지 확인하기 위해 Langmuir probe의 원리를 이용하여 기판에 도달하는 전류를 측정하려고 하는데 저희의 경우 Remote 플라즈마를 사용하고 있기 때문에 플라즈마로 기판이 직접 들어가는 것이 아니라 플라즈마 발생지점 수직선상으로 밑에 위치하게 됩니다.
이런 경우에도 Langmuir probe의 이상적인 I-V Characteristics가 나타나는지 궁금합니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [312] | 79210 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21252 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58056 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69610 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94395 |
819 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146369 |
818 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134507 |
817 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96673 |
816 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79845 |
815 | Silent Discharge | 64589 |
814 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55283 |
813 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48214 |
812 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43793 |
811 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41412 |
810 | 대기압 플라즈마 | 40765 |
809 | Ground에 대하여 | 39693 |
808 | RF frequency와 RF power 구분 | 39196 |
807 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36442 |
806 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36141 |
805 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35070 |
804 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32737 |