Sputtering gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다
2023.11.13 17:15
안녕하세요 스퍼터링 공부중인 학생입니다.
실험으로 스퍼터김운용 중 기타 변수들을 동일하게 하고 Ar20 sccm고정 02 를 2,4,6 조절하며 두께 및 저항값을 측정하고 있습니다.
o2양이 증가함에 따라 deposition rate가 감소하여 동일시간 증착시 더 증착되고 저항값도 커지는걸로 알고 있습니다만 제가 알고 있는 것이 맞을까요?
또한 4point prboe 측정시 2sccm 은 면저항이 5.6 옴정도로 측정되고 4sccm은 평균 400옴정도로 측정되는데 정상인지 여쭤보고 싶습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76875 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20274 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92698 |
793 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144627 |
792 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134453 |
791 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95755 |
790 | Plasma source type | 79691 |
789 | Silent Discharge | 64560 |
788 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54945 |
787 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47896 |
786 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43706 |
785 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41271 |
784 | 대기압 플라즈마 | 40713 |
783 | Ground에 대하여 | 39472 |
782 | RF frequency와 RF power 구분 | 39087 |
781 | Self Bias | 36390 |
780 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35959 |
779 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
778 | PEALD관련 질문 [1] | 32643 |