Chamber Impedance CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의
2023.11.21 14:54
안녕하세요.
ETCH 공정 CCP 설비 관련하여 Plasma 변동성 해석 중인데, 아래와 같은 경우 HF/LF Vpp 값이 어떻게 변화하는지 알 수 있을까요?
어떤 원리에 의해서 그런 변화가 발생하는지도 궁금합니다.
- 특정 부품(Edge Ring)의 Capacitance 감소 → Impedance 증가 → HF Vpp? LF Vpp? (증가? or 감소?)
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76817 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20246 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57188 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92576 |
791 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144563 |
790 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134449 |
789 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95710 |
788 | Plasma source type | 79668 |
787 | Silent Discharge | 64558 |
786 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54924 |
785 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47861 |
784 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
783 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41259 |
782 | 대기압 플라즈마 | 40710 |
781 | Ground에 대하여 | 39448 |
780 | RF frequency와 RF power 구분 | 39076 |
779 | Self Bias | 36387 |
778 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35936 |
777 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34963 |
776 | PEALD관련 질문 [1] | 32622 |