안녕하세요

현직에있는 Etch Engineer입니다..

최근 Wordline으로 떨어지는 CMC공정에서의 Punching 이슈로 H/W관점에서 여러가지 Test를 하고있는 상황입니다.

(Punching Point는 300mm Wafer의 최외각보단 안쪽, 약 200~300 mm 사이에서 발생)

모든 Chamber에서 100%는 아니지만 현시점에선 200Hr 후반대 Variation이 있기때문에 그부분을 해소해야하는 상황인데요.

실험Test 결과를 바탕으로, Temp에 의한 Polymer유동 관점으로 메커니즘이 세워지지 않는 부분과

어떤 방향으로 Approach하면 좋을지 조언받기위해 질문 드립니다.

[Punching 개선된 Action]  *CCP설비이며 ESC가 Heater Chuck은 아님. Time Etch 사용

1. ESC Embossing 밀도 사양을 변경하여 ESC Temp가 기존대비 1도 상승하여 Reading됨

   → 초기 Punching Variation Issue는 해소

2. ESC Temp에 영향 주는 Chiller Temp Offset -1도 입력시, ESC Temp가 기존대비 1도 상승하여 Reading됨

    → 사용중 Punching 발생으로 해당 Input을 넣었을시, Punchng Issue가 일시적으로 해소되나 몇 매 진행후 다시 경시적으로

        Punching 발생

3. 상부 열전도율 높여주는 부품인 Pad(ShowerHead와 GDP사이 장착)를 Punching발생시점에 A급으로 교체

    → Sample 1매가 완벽하게 해소(그 이후 추가진행은 시도 안해봤으나, 2CB에서 2번 모두 재현성있게 확인됨.)

상기 3가지의 실험으로 봤을때,

- Pattern Wafer에 영향 주는 Temp가 기존대비 상승 → Wafer주변 Polymer 감소 → NOP에 유리 (Punching에 불리)

- 상부 열전도율 경시성으로 하향 → A급 교체후 열전도율 상승으로 Temp 기존대비 하향 → Polymer량 상대적으로 상부로 이동하여

  하부 Pattern Wafer 근처 Polymer량 감소 → NOP에 유리 (Punching에 불리)

☞모두 Punching에는 취약한 부분으로 수렴이되는데 어떤 개념을 놓쳤는지 그리고 이후 실험방향을 어떻게 잡아야하는

   지도 도움 부탁드립니다..