Sheath 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문
2020.05.06 19:33
안녕하세요.
대학원에서 플라즈마에 대해 공부하고 있습니다.
플라즈마 생성 후 절연체를 넣고 쉬스가 생성된 후에
플라즈마에서 기판으로 갈 때 전자는 지수적으로, 이온은 선형적으로 감소한다고 하는데
그 이유가 궁금합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76888 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20284 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57204 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92712 |
795 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144643 |
794 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134453 |
793 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95771 |
792 | Plasma source type | 79694 |
791 | Silent Discharge | 64561 |
790 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54956 |
789 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47905 |
788 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43708 |
787 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41272 |
786 | 대기압 플라즈마 | 40716 |
785 | Ground에 대하여 | 39480 |
784 | RF frequency와 RF power 구분 | 39089 |
783 | Self Bias | 36391 |
782 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35962 |
781 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
780 | PEALD관련 질문 [1] | 32647 |