Others Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다.
2017.11.24 12:13
Diamond tip으로 insulator, semiconductor, conductor를 긁어서 깨뜨리는 경우, 3 경우 모두 플라즈마가 생기고 이 때 insulator>semiconductor>conductor 순으로 electron 의 에너지가 높은 것으로 알려져있습니다.
( insulator : several hundred to keV, semiconductor : 0~100 eV, conductor : negligible )
저는 Ceramic Powder (Y2O3 ~900nm) 를 아음속으로 기판에 분사시켜서 증착하는 Aerosol Deposition 중에도 플라즈마가 생기는 것을 PMT 센서로 계측하고, 이를 증착에 미치는 영향과 연관시키려고 합니다.
질문 사항은 다음과 같습니다.
1. 일반적으로, E-field를 가해서 플라즈마를 생성할 때, electron energy 가 어느 정도 쯤 되나요?
Tribo-Plasma 가 발생하면서 생겼다고 주장하는 keV의 높은 에너지의 전자도 Tribo-Plasma에 의한 것으로 생각할 수 있을까요? 아니라면 다른 어떤 요인이 있을까요?
2. 상온 대기압 하에서 수 keV의 전자가 방출된다면 이 전자는 몇 m 의 거리를 움직일 수 있을까요? 그것을 대략적으로 계산할 수 있는 식은 어떤 것이 있을까요?
3. 플라즈마가 생겼다면, light emission 을 동반할 것이기 때문에, 200~780 nm 의 광을 측정할 수 있는 PMT 센서로 계측 중입니다. PMT Sensor가 기판으로부터 약 3~4cm 정도 떨어져있는데, 특정 조건(증착 조건 : 분말이 깨지는 조건)에서 오작동을 합니다. 수 keV의 전자가 방출되었을 때 계측기에 영향을 미칠 수 있을까요?
4. 수 um 영역에서 플라즈마가 생겼을 경우 이 때 생성되는 열에너지가 어느 정도가 될까요? 온도가 어느 정도로 증가할까요?
Ceramic 이 깨질 때 형성되는 E-field 는 약 4.4*10^5 V/cm 라고 합니다. 주변 분위기는 Air 로 유지되고 있습니다.
감사합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] | 102601 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 24653 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 61348 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 73428 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 105733 |
829 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 148754 |
828 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134607 |
827 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 97688 |
826 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80412 |
825 | Silent Discharge | 64649 |
824 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55957 |
823 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48915 |
822 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43939 |
821 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41666 |
820 | 대기압 플라즈마 | 40940 |
819 | Ground에 대하여 | 40071 |
818 | RF frequency와 RF power 구분 | 39506 |
817 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36736 |
816 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36416 |
815 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35304 |
814 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 33020 |